＜特開2001-068311号＞
光制御性分子磁性体
佐藤治、速水真也、栄長泰明、藤嶋昭
H11年8月25日
分子設計をも可能とする、新しい光制御性分子磁性体を提供する。 Ｆｅ（II）シアノ錯体またはこれを主とする集積型錯体、もしくはＦｅ (III)錯体を主体とし、光照射によりスピン転移が誘起される磁性体である光制御性分子磁性体とする。
＜特開2007-242936号＞
磁気記録阻止
前田米藏、速水真也
H19年9月20日
熱誘起スピン遷移がクロスヒステリシスループを形成する遷移金属錯体を用いた磁気記録素子を提供すること。式（１）で表される金属錯体を用いた磁気記録素子。
＜特願2007－271574号＞
新規強誘電性金属錯体化合物、その製造方法、それを含む液晶組成物および読み出し可能なメモリ装置
速水真也、井上克也
＜特願2007－280325号＞
新規有機金属錯体、その製造方法、新規有機金属錯体を主成分とする液晶および読み出し可能なメモリ
速水真也、井上克也